Kristaliniai diodai p tipo puslaidininkiui ir n tipo puslaidininkių pn sandūros formavimui erdvės krūvio sluoksnyje yra suformuoti abiejose sąsajos pusėse ir nuo to laiko sukūrė elektrinį lauką. Kai nėra išorinės įtampos, pn sandūros rezultatas abiejose nešiklio koncentracijos gradiento difuzinės srovės pusėse ir pastatytame elektriniame dreifo srovės lauke elektrinėje pusiausvyroje yra tas pats.
Kai išorėje, kai yra teigiamas įtampos poslinkis, išorinis elektrinis laukas ir elektrinio lauko abipusis slopinimo efektas padidina nešiklių difuziją, sukėlė priekinę srovę.
Kai išorėje, kai yra atvirkštinė įtampa, elektrinio lauko statyba išoriniu elektriniu lauku ir dar labiau sustiprina ir suformavo tam tikrą atvirkštinės įtampos diapazoną atvirkštinio prisotinimo įtampos vertės atvirkštinio prisotinimo srovė I0.
Kai tam tikra laipsnio atvirkštinė įtampa, pn sandūros elektrinio lauko stipris erdvinio krūvio nešiklio daugybos procese pasiekia kritinę vertę, sukuria daug elektronų-skylių porų, yra tokia didelė atvirkštinė skilimo srovė, žinomas kaip diodų skilimo reiškinys.