100 W 976 nm G-Stack diodų lazerių matricos

100 W 976 nm G-Stack diodų lazerių matricos

Prekės Nr.: CC976HA100 Prekės pavadinimas: 976 nm 100 W laidumo aušinimo horizontalaus matricos diodų lazerisFunkcija: QCW darbo režimas
Siųsti užklausą
Aprašymas

 

100 W 976 nm G-Stack diodų lazerių matricos

 

Produkto aprašymas
 

BrandNew siūlo įvairias laidiai aušinamas lazerinių diodų matricas. Šios sukrautos matricos gali būti sukonstruotos su 1–20 diodų strypų, kurių galia nuo 100 W QCW iki 300 W QCW. Kompaktiški ir tvirti paketai su AuSn kietuoju lydmetaliu užtikrina gerą šilumos kontrolę ir patikimi esant aukštai darbo temperatūrai.

BrandNew vis dar siūlo skirtingo bangos ilgio maišymo diodų strypus, kad būtų sukurtas platus optinis spinduliuotės spektras, o tai puikiai tinka kuriant efektyvią siurbimo sistemą nestabilizuotoje temperatūroje. Šios lazerinių diodų matricos idealiai tinka įvairiems siurbimo strypų ar plokščių kietojo kūno lazeriams, iliuminatoriams…

200W 976nm Horizontal Stack Laser Diode

01

AuSn sujungimas

 

02

Ilgas tarnavimo laikas

 

03

Didelė galia

 

04

Siauras spektras

 

 

Duomenų lapas:

Prekės Nr.: CC976HA100

Prekės pavadinimas: 100 W 976 nm QCW laidumo aušinamas horizontalus diodinis lazeris

Optinis  
Centrinis bangos ilgis 976±10nm
Išėjimo galia 100W
Darbo režimas QCW
Greitas ašies nukrypimas (FWHM) 50 laipsnių
Lėtos ašies nukrypimas (FWHM) 10 laipsnių
Spektrinis plotis FWHM 6nm
Dažnis 3hz
Impulso plotis 4ms
Darbo ciklas <2%
Elektros  
Veikimo srovė Iop 100A
Slenkstinė srovė It 15A
Darbinė įtampa Vop 2V
Galios konversijos efektyvumas 50%
Šiluminis  
Darbinė temperatūra -45-+60 laipsnis
Laikymo temperatūra -55-+85 laipsnis

 

Pakuotės brėžinys:

 

J{~XP~1949(52P[1E6N77AP

 

 

Populiarus Žymos: 100w 976nm g-stack diodų lazerių matricų tiekėjai, gamintojai Kinija, gamykla, didmeninė prekyba, pagaminta Kinijoje